| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Screw |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 500 V |
| 额定电流 | 44.0 A |
| 封装 | SOT-227-4 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 120 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 520 W |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 44.0 A |
| 上升时间 | 60 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 8400pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 520 W |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 520W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 38.23 mm |
| 宽度 | 25.42 mm |
| 高度 | 9.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
底座安装 N 通道 44A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
IXYS Semiconductor
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IXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 165 mohm, 10 V, 4.5 V
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IXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 190 mohm, 10 V, 5 V
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N沟道 VDS=500V VGS=±20V ID=44A
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 600 V, 130 mohm, 10 V, 4.5 V
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IXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N50Q 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 44 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXFN 系列 单 N 沟道 1000 Vds 220 mOhm 890 W 功率 Mosfet - SOT-227B
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