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IXFN44N50Q
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IXFN44N50Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN44N50Q  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 44 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V
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IXFN44N50Q 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装SOT-227-4
针脚数3 Position
漏源极电阻120 mΩ
极性N-Channel
功耗500 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)44.0 A
隔离电压2.50 kV
输入电容值(Ciss)7000pF @25V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)500W (Tc)
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IXFN44N50Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Tube
重量44.0 g
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN44N50Q 数据手册

IXFN44N50Q 数据手册
IXYS Semiconductor
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N沟道 VDS=500V VGS=±20V ID=44A
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IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN44N50Q  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 44 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V
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