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IXFN44N60
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IXFN44N60 技术参数、封装参数

IXFN44N60 外形尺寸、物理参数、其它

IXFN44N60 数据手册

IXYS Semiconductor
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IXFN44 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN44N80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 165 mohm, 10 V, 4.5 V
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IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN44N80P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 190 mohm, 10 V, 5 V
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N沟道 VDS=500V VGS=±20V ID=44A
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N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN44N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 600 V, 130 mohm, 10 V, 4.5 V
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IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN44N50Q  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 44 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V
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N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXFN 系列 单 N 沟道 1000 Vds 220 mOhm 890 W 功率 Mosfet - SOT-227B
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