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IXFN48N50
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IXFN48N50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN48N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
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IXFN48N50 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流48.0 A
封装SOT-227-4
额定功率520 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.1 Ω
极性N-Channel
功耗520 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)48.0 A
上升时间60.0 ns
输入电容值(Ciss)8400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)520 W
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)520W (Tc)
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IXFN48N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN48N50 数据手册

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