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IXFN48N50U3
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IXFN48N50U3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXFN48N50U3 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IXFN48N50U3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
封装SOT-227-4
通道数1 Channel
漏源极电阻100 mΩ
极性N-CH
功耗520 W
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
连续漏极电流(Ids)48A
上升时间60 ns
输入电容值(Ciss)8400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)520 W
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)40 ℃
耗散功率(Max)520W (Tc)
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IXFN48N50U3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度38.2 mm
宽度25.07 mm
高度9.6 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN48N50U3 数据手册

IXFN48N50U3 数据手册
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