| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Chassis |
| 封装 | SOT-227-4 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 600W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 550 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 48A |
| 输入电容值(Ciss) | 8900pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 600W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
底座安装 N 通道 550 V 48A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
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IXYS SEMICONDUCTOR IXFN48N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
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N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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