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IXFN48N60P
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IXFN48N60P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXFN48N60P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流48.0 A
封装SOT-227-4
通道数1 Channel
漏源极电阻0.14 Ω
极性N-Channel
功耗625 W
阈值电压5.5 V
输入电容8.86 nF
栅电荷150 nC
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)40.0 A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)8860pF @25V(Vds)
额定功率(Max)625 W
下降时间22 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)625000 mW
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IXFN48N60P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度38.23 mm
宽度25.42 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN48N60P 数据手册

IXFN48N60P 数据手册
IXYS Semiconductor
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IXFN48N60 数据手册

IXFN48N60P 数据手册
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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