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IXFN50N50
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IXFN50N50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXFN50N50 数据手册 (4 页)
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焊盘图
引脚图
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IXFN50N50 数据手册 (4 页)
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IXFN50N50 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
通道数1 Channel
极性N-CH
功耗600 W
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)50A
输入电容值(Ciss)9400pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)600W (Tc)
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IXFN50N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
宽度25.42 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN50N50 数据手册

IXFN50N50 数据手册
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