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IXFN50N80Q2
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IXFN50N80Q2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXFN50N80Q2 一个物料配4个螺丝
PDF文件:IXFN50N80Q2 数据手册 (4 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IXFN50N80Q2 数据手册 (4 页)
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IXFN50N80Q2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
额定功率1135 W
极性N-CH
功耗1135 W
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)50A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)13500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)890 W
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1135W (Tc)
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IXFN50N80Q2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Tube
长度38.23 mm
宽度25.42 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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