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IXFN60N80P
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IXFN60N80P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:中高压MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN60N80P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 800 V, 140 mohm, 10 V, 5 V
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IXFN60N80P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Panel
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
通道数1 Channel
针脚数4 Position
漏源极电阻140 mΩ
极性N-Channel
功耗1.04 kW
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
连续漏极电流(Ids)60.0 A
上升时间29 ns
输入电容值(Ciss)18000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1040 W
下降时间26 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1040W (Tc)
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IXFN60N80P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度38.23 mm
宽度25.42 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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