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IXFN64N50P
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IXFN64N50P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN64N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 V
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IXFN64N50P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流64.0 A
封装SOT-227-4
针脚数4 Position
漏源极电阻0.085 Ω
极性N-Channel
功耗700 W
阈值电压5.5 V
输入电容8.70 nF
栅电荷150 nC
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
连续漏极电流(Ids)61.0 A
输入电容值(Ciss)8700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)700 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)700W (Tc)
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IXFN64N50P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度38.23 mm
宽度25.42 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN64N50P 数据手册

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