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IXFN73N30
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IXFN73N30 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN73N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 300 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
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IXFN73N30 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)300 V
额定电流73.0 A
封装SOT-227-4
额定功率520 W
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.045 Ω
极性N-Channel
功耗520 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)300 V
连续漏极电流(Ids)73.0 A
上升时间80 ns
输入电容值(Ciss)9000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)520 W
下降时间50 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)520W (Tc)
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IXFN73N30 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
宽度25.42 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IXFN73N30 数据手册

IXFN73N30 数据手册
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IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN73N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 300 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
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