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IXFN73N30Q
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IXFN73N30Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXFN73N30Q 数据手册 (4 页)
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IXFN73N30Q 数据手册 (4 页)
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IXFN73N30Q 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
封装SOT-227-4
极性N-CH
功耗500W (Tc)
漏源极电压(Vds)300 V
连续漏极电流(Ids)73A
输入电容值(Ciss)5400pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)500W (Tc)
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IXFN73N30Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN73N30Q 数据手册

IXFN73N30Q 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.58 MByte
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