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IXFN80N60P3
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IXFN80N60P3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXFN80N60P3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Panel
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
针脚数4 Position
漏源极电阻0.077 Ω
极性N-CH
功耗960 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)66A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)13100pF @25V(Vds)
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)960W (Tc)
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IXFN80N60P3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度38.23 mm
宽度25.07 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN80N60P3 数据手册

IXFN80N60P3 数据手册
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