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IXFP10N60P
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IXFP10N60P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:中高压MOS管
封装:TO-220-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFP10N60P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 740 mohm, 10 V, 5.5 V
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IXFP10N60P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流10.0 A
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.74 Ω
极性N-Channel
功耗200 W
阈值电压5.5 V
输入电容1.61 nF
栅电荷32.0 nC
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)10.0 A
上升时间27 ns
反向恢复时间200 ns
输入电容值(Ciss)1610pF @25V(Vds)
额定功率(Max)200 W
下降时间21 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)200000 mW
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IXFP10N60P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.66 mm
宽度4.83 mm
高度9.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFP10N60P 数据手册

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