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IXFP3N120

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IXFP3N120 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:	IXYS Semiconductor
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	IXYS SEMICONDUCTOR IXFP3N120 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 120 V, 4.5 ohm, 10 V, 5 V
PDF文件:	IXFP3N120 数据手册 (4 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IXFP3N120 数据手册 (4 页)

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IXFP3N120 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	4.5 Ω
极性	N-Channel
功耗	200 W
阈值电压	5 V
漏源极电压(Vds)	120 V
连续漏极电流(Ids)	3.00 A
上升时间	15 ns
输入电容值(Ciss)	1050pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	200 W
下降时间	18 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	200W (Tc)

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IXFP3N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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