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IXFT12N100F
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IXFT12N100F 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-268-3
PDF文件:IXFT12N100F 数据手册 (3 页)
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焊盘图
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IXFT12N100F 数据手册 (3 页)
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IXFT12N100F 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-268-3
通道数1 Channel
漏源极电阻1.05 Ω
极性N-CH
功耗300 W
漏源极电压(Vds)1000 V
漏源击穿电压1000 V
连续漏极电流(Ids)12A
上升时间9.8 ns
输入电容值(Ciss)2700pF @25V(Vds)
下降时间12 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IXFT12N100F 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度16.05 mm
宽度14 mm
高度5.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFT12N100F 数据手册

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