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IXGA30N120B3
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IXGA30N120B3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-263-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXGA30N120B3  单晶体管, IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚
PDF文件:IXGA30N120B3 数据手册 (7 页)
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IXGA30N120B3 数据手册 (7 页)
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IXGA30N120B3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
针脚数3 Position
功耗300 W
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
额定功率(Max)300 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300000 mW
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IXGA30N120B3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度9.65 mm
宽度10.41 mm
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXGA30N120B3 数据手册

IXGA30N120B3 数据手册
IXYS Semiconductor
7 页 / 0.2 MByte
IXGA30N120B3 其他数据使用手册
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IXGA30N120 数据手册

IXGA30N120B3 数据手册
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXGA30N120B3  单晶体管, IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚
IXGA30N120B3 数据手册
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