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IXGA30N60C3C1
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IXGA30N60C3C1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-263-3
PDF文件:IXGA30N60C3C1 数据手册 (7 页)
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焊盘图
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IXGA30N60C3C1 数据手册 (7 页)
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IXGA30N60C3C1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
功耗220 W
击穿电压(集电极-发射极)600 V
额定功率(Max)220 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)220000 mW
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IXGA30N60C3C1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度9.65 mm
宽度10.41 mm
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXGA30N60C3C1 数据手册

IXGA30N60C3C1 数据手册
IXYS Semiconductor
7 页 / 0.27 MByte
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