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IXGN200N60B
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IXGN200N60B 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXGN200N60B 数据手册 (6 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXGN200N60B 数据手册 (6 页)
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IXGN200N60B 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
功耗600000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
输入电容值(Cies)11nF @25V
额定功率(Max)600 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)600000 mW
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IXGN200N60B 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
宽度25.42 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXGN200N60B 数据手册

IXGN200N60B 数据手册
IXYS Semiconductor
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5 页 / 0.3 MByte

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