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IXGN320N60A3
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IXGN320N60A3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
描述:IXGN 系列 600 Vce 320 A 63 ns t(on) 超低Vsat PT IGBT - SOT-227B
PDF文件:IXGN320N60A3 数据手册 (4 页)
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焊盘图
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IXGN320N60A3 数据手册 (4 页)
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IXGN320N60A3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
额定功率735 W
功耗735000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
输入电容值(Cies)18nF @25V
额定功率(Max)735 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)735000 mW
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IXGN320N60A3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度38.23 mm
宽度25.42 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXGN320N60A3 数据手册

IXGN320N60A3 数据手册
IXYS Semiconductor
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IXGN320N60 数据手册

IXGN320N60A3 数据手册
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IXGN 系列 600 Vce 320 A 63 ns t(on) 超低Vsat PT IGBT - SOT-227B
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