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IXGN82N120C3H1
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IXGN82N120C3H1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXGN82N120C3H1 数据手册 (3 页)
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IXGN82N120C3H1 数据手册 (3 页)
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IXGN82N120C3H1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)7.9nF @25V
额定功率(Max)595 W
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IXGN82N120C3H1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期End of Life
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXGN82N120C3H1 数据手册

IXGN82N120C3H1 数据手册
IXYS Semiconductor
3 页 / 0.09 MByte
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