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IXKR25N80C
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IXKR25N80C 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:ISOPLUS-247
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXKR25N80C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 800 V, 150 mohm, 10 V, 4 V
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IXKR25N80C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装ISOPLUS-247
针脚数3 Position
漏源极电阻0.15 Ω
极性N-Channel
功耗250 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)25.0 A
上升时间15 ns
隔离电压2.50 kV
下降时间6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
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IXKR25N80C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXKR25N80C 数据手册

IXKR25N80C 数据手册
IXYS Semiconductor
2 页 / 0.09 MByte
IXKR25N80C 开发手册
IXYS Semiconductor
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IXKR25N80C 数据手册
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IXYS SEMICONDUCTOR  IXKR25N80C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 800 V, 150 mohm, 10 V, 4 V
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