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IXKT70N60C5
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IXKT70N60C5 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-268-3
PDF文件:IXKT70N60C5 数据手册 (5 页)
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焊盘图
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IXKT70N60C5 数据手册 (5 页)
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IXKT70N60C5 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-268-3
通道数1 Channel
漏源极电阻40 mΩ
功耗-
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)6800pF @100V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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IXKT70N60C5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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IXKT70N60C5 数据手册

IXKT70N60C5 数据手册
IXYS Semiconductor
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