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IXRH40N120 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
IGBT晶体管
封装:
TO-247-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXRH40N120 数据手册
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IXRH40N120 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
300000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
反向恢复时间
2.1 µs
额定功率(Max)
300 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300000 mW
IXRH40N120 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Bulk
高度
21.46 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
IXRH40N120 符合标准
IXRH40N120 概述
IGBT NPT 55 A 300 W 通孔 TO-247AD
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