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IXSH25N120AU1
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IXSH25N120AU1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXSH25N120AU1 数据手册 (2 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IXSH25N120AU1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-247-3
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
反向恢复时间60 ns
额定功率(Max)200 W
耗散功率(Max)200 W
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IXSH25N120AU1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXSH25N120AU1 数据手册

IXSH25N120AU1 数据手册
IXYS Semiconductor
2 页 / 0.03 MByte
IXSH25N120AU1 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
3 页 / 0.27 MByte

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