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IXSN80N60BD1
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IXSN80N60BD1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXSN80N60BD1 数据手册 (6 页)
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IXSN80N60BD1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
功耗420000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
输入电容值(Cies)6.6nF @25V
额定功率(Max)420 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)420000 mW

IXSN80N60BD1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXSN80N60BD1 数据手册

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IXYS Semiconductor
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