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IXTA36N30P
来自 AiPCBA

IXTA36N30P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N沟道 300V 36A
PDF文件:IXTA36N30P 数据手册 (5 页)
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焊盘图
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IXTA36N30P 数据手册 (5 页)
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IXTA36N30P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
极性N-CH
功耗300 W
漏源极电压(Vds)300 V
连续漏极电流(Ids)36A
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)2250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)300 W
下降时间28 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IXTA36N30P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTA36N30P 数据手册

IXTA36N30P 数据手册
IXYS Semiconductor
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