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IXTA3N120
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IXTA3N120 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:表面贴装型 N 通道 1200V 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
PDF文件:IXTA3N120 数据手册 (5 页)
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IXTA3N120 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.20 kV
额定电流3.00 A
封装TO-263-3
通道数1 Channel
功耗200 W
漏源极电压(Vds)1200 V
连续漏极电流(Ids)3.00 A
输入电容值(Ciss)1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)200 W
耗散功率(Max)200W (Tc)
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IXTA3N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
宽度9.65 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTA3N120 数据手册

IXTA3N120 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.16 MByte
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