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IXTA6N50D2
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IXTA6N50D2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-263-3
PDF文件:IXTA6N50D2 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IXTA6N50D2 数据手册 (5 页)
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IXTA6N50D2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
通道数1 Channel
漏源极电阻550 mΩ
功耗300 W
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
上升时间72 ns
输入电容值(Ciss)2800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)300 W
下降时间43 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IXTA6N50D2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度9.65 mm
宽度10.41 mm
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTA6N50D2 数据手册

IXTA6N50D2 数据手册
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