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IXTH02N250
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IXTH02N250 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道,2500V,200mA,450Ω@10V
PDF文件:IXTH02N250 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
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IXTH02N250 数据手册 (5 页)
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IXTH02N250 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
极性N-CH
功耗83W (Tc)
漏源极电压(Vds)2500 V
连续漏极电流(Ids)0.2A
上升时间19 ns
输入电容值(Ciss)116pF @25V(Vds)
下降时间33 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)83W (Tc)
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IXTH02N250 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTH02N250 数据手册

IXTH02N250 数据手册
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