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IXTH10P50P
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IXTH10P50P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:IXTH 系列 单 P 沟道 500 V 1 Ohm 300 W 功率 Mosfet - TO-247 AD
PDF文件:IXTH10P50P 数据手册 (6 页)
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IXTH10P50P 数据手册 (6 页)
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IXTH10P50P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
极性P-CH
功耗300W (Tc)
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)10A
上升时间28 ns
输入电容值(Ciss)2840pF @25V(Vds)
下降时间44 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IXTH10P50P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTH10P50P 数据手册

IXTH10P50P 数据手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.17 MByte
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