IXTH12N100L 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:	IXYS Semiconductor
分类:	MOS管
封装:	TO-247-3
描述:	N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear seriesN-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXTH12N100L 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-247-3
极性	N-CH
功耗	400W (Tc)
漏源极电压(Vds)	1000 V
连续漏极电流(Ids)	12A
输入电容值(Ciss)	2500pF @25V(Vds)
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	400W (Tc)

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IXTH12N100L 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	16.26 mm
宽度	5.3 mm
高度	21.46 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTH12N100L 符合标准

IXTH12N100L 概述

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