Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXTH130N20T Datasheet 文档
IXTH130N20T
来自 AiPCBA

IXTH130N20T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道 200V 130A
PDF文件:IXTH130N20T 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IXTH130N20T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-247-3
通道数1 Channel
极性N-CH
功耗830W (Tc)
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)130A
输入电容值(Ciss)8800pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)830W (Tc)
查看数据手册 >

IXTH130N20T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXTH130N20T 数据手册

IXTH130N20T 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.17 MByte
IXTH130N20T 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.16 MByte

IXTH130N20 数据手册

IXTH130N20T 数据手册
IXYS Semiconductor
N沟道 200V 130A
IXTH130N20T 数据手册
Littelfuse（力特）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet