Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXTH1N200P3 Datasheet 文档
IXTH1N200P3
来自 AiPCBA

IXTH1N200P3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道 2kV 1A
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXTH1N200P3 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXTH1N200P3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-247-3
极性N-CH
功耗125W (Tc)
漏源极电压(Vds)2000 V
连续漏极电流(Ids)1A
输入电容值(Ciss)646pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)125W (Tc)

IXTH1N200P3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTH1N200P3 数据手册

IXTH1N200P3 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.24 MByte

IXTH1N200 数据手册

IXTH1N200P3HV 数据手册
IXYS Semiconductor
IXTH1N200P3 数据手册
IXYS Semiconductor
N沟道 2kV 1A
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet