Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXTH20N60 Datasheet 文档
IXTH20N60
来自 AiPCBA

IXTH20N60 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXTH20N60 数据手册 (4 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXTH20N60 数据手册 (4 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXTH20N60 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流20.0 A
封装TO-247-3
极性N-Channel
功耗300 W
输入电容4.50 nF
栅电荷170 nC
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)20.0 A
上升时间43 ns
输入电容值(Ciss)4500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)300 W
下降时间40 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
查看数据手册 >

IXTH20N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
材质Silicon
长度16.26 mm
宽度5.3 mm
高度21.46 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXTH20N60 数据手册

IXTH20N60 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.1 MByte

IXTH20 数据手册

IXTH200N10T 数据手册
IXYS Semiconductor
N沟道 100V 200A
IXTH20N60 数据手册
IXYS Semiconductor
IXTH20P50P 数据手册
IXYS Semiconductor
P沟道 500V 20A
IXTH20N50D 数据手册
IXYS Semiconductor
IXTH200N075T 数据手册
IXYS Semiconductor
IXTH20N65X 数据手册
IXYS Semiconductor
IXTH200N085T 数据手册
IXYS Semiconductor
IXTH20N65X2 数据手册
IXYS Semiconductor
N沟道 650V 20A
IXTH20P50P 数据手册
Littelfuse（力特）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet