Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXTH30N50P Datasheet 文档
IXTH30N50P
来自 AiPCBA

IXTH30N50P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXTH30N50P 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXTH30N50P 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXTH30N50P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流30.0 A
封装TO-247-3
功耗460 W
输入电容4.15 nF
栅电荷70.0 nC
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)30.0 A
上升时间27 ns
输入电容值(Ciss)4150pF @25V(Vds)
额定功率(Max)460 W
下降时间21 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)460W (Tc)
查看数据手册 >

IXTH30N50P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.26 mm
宽度5.3 mm
高度21.46 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXTH30N50P 数据手册

IXTH30N50P 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.33 MByte
IXTH30N50P 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.32 MByte

IXTH30N50 数据手册

IXTH30N50 数据手册
IXYS Semiconductor
IXTH30N50L2 数据手册
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH30N50L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 V
IXTH30N50P 数据手册
IXYS Semiconductor
IXTH30N50L 数据手册
IXYS Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet