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IXTH40N30

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IXTH40N30 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:	IXYS Semiconductor
分类:	MOS管
封装:	TO-247-3
描述:	IXYS SEMICONDUCTOR IXTH40N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 300 V, 85 mohm, 10 V, 4 V
PDF文件:	IXTH40N30 数据手册 (4 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IXTH40N30 数据手册 (4 页)

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IXTH40N30 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	300 V
额定电流	40.0 A
封装	TO-247-3
额定功率	300 W
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.085 Ω
极性	N-Channel
功耗	300 W
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	300 V
连续漏极电流(Ids)	40.0 A
上升时间	40 ns
输入电容值(Ciss)	4600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	300 W
下降时间	40 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	300W (Tc)

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IXTH40N30 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tube
材质	Silicon
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTH40N30 符合标准

IXTH40N30 海关信息

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