| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 功耗 | 280W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 1500 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1576pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 22 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 280W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-247（IXTH）
IXYS Semiconductor
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IXYS SEMICONDUCTOR IXTH40N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 300 V, 85 mohm, 10 V, 4 V
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IXYS SEMICONDUCTOR IXTH40N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 40 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 2.5 V
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N 通道功率 MOSFET，IXYS X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管，适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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