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IXTH76N25T
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IXTH76N25T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXTH76N25T 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
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IXTH76N25T 数据手册 (6 页)
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IXTH76N25T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗460W (Tc)
漏源极电压(Vds)250 V
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)4500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)460 W
下降时间29 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)460W (Tc)
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IXTH76N25T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTH76N25T 数据手册

IXTH76N25T 数据手册
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