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IXTH88N30P
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IXTH88N30P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:通孔 N 通道 300V 88A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
PDF文件:IXTH88N30P 数据手册 (5 页)
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焊盘图
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IXTH88N30P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗600 W
漏源极电压(Vds)300 V
上升时间24 ns
输入电容值(Ciss)6300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)600 W
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)600W (Tc)
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IXTH88N30P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTH88N30P 数据手册

IXTH88N30P 数据手册
IXYS Semiconductor
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IXTH88N30 数据手册

IXTH88N30P 数据手册
IXYS Semiconductor
通孔 N 通道 300V 88A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
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