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IXTK100N25P
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IXTK100N25P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-264-3
描述:N沟道 250V 100A
PDF文件:IXTK100N25P 数据手册 (5 页)
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焊盘图
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IXTK100N25P 数据手册 (5 页)
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IXTK100N25P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-264-3
通道数1 Channel
极性N-CH
功耗600W (Tc)
漏源极电压(Vds)250 V
连续漏极电流(Ids)100A
输入电容值(Ciss)6300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)600W (Tc)
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IXTK100N25P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
宽度5.31 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTK100N25P 数据手册

IXTK100N25P 数据手册
IXYS Semiconductor
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IXTK100N25 数据手册

IXTK100N25P 数据手册
IXYS Semiconductor
N沟道 250V 100A
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