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IXTK102N30P
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IXTK102N30P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-264-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXTK102N30P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 102 A, 300 V, 33 mohm, 10 V, 5 V
PDF文件:IXTK102N30P 数据手册 (5 页)
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IXTK102N30P 数据手册 (5 页)
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IXTK102N30P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-264-3
针脚数3 Position
漏源极电阻33 mΩ
极性N-Channel
功耗700 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)300 V
连续漏极电流(Ids)102 A
上升时间28 ns
反向恢复时间250 ns
输入电容值(Ciss)7500pF @25V(Vds)
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)700W (Tc)
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IXTK102N30P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTK102N30P 数据手册

IXTK102N30P 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.22 MByte
IXTK102N30P 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.21 MByte
IXTK102N30P 开发手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 1.89 MByte

IXTK102N30 数据手册

IXTK102N30P 数据手册
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXTK102N30P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 102 A, 300 V, 33 mohm, 10 V, 5 V
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