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IXTK110N20L2
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IXTK110N20L2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-264-3
描述:N沟道 200V 110A
PDF文件:IXTK110N20L2 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
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IXTK110N20L2 数据手册 (5 页)
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IXTK110N20L2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-264-3
功耗960 W
漏源极电压(Vds)200 V
上升时间100 ns
输入电容值(Ciss)23000pF @25V(Vds)
下降时间135 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)960W (Tc)
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IXTK110N20L2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTK110N20L2 数据手册

IXTK110N20L2 数据手册
IXYS Semiconductor
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