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IXTK200N10P
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IXTK200N10P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-264-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXTK200N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V
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IXTK200N10P 数据手册 (5 页)
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IXTK200N10P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-264-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0075 Ω
极性N-Channel
功耗800 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
连续漏极电流(Ids)200 A
上升时间35 ns
反向恢复时间100 ns
输入电容值(Ciss)7600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)800 W
下降时间90 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)800W (Tc)
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IXTK200N10P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度19.96 mm
宽度5.13 mm
高度26.16 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXTK200N10P 数据手册

IXTK200N10P 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.15 MByte
IXTK200N10P 开发手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 1.89 MByte

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IXYS SEMICONDUCTOR  IXTK200N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V
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