IXTK22N100L 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:	IXYS Semiconductor
分类:	MOS管
封装:	TO-264-3
描述:	N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear seriesN-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXTK22N100L 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-264-3
通道数	1 Channel
漏源极电阻	600 mΩ
极性	N-CH
功耗	700 W
阈值电压	5 V
漏源极电压(Vds)	1000 V
漏源击穿电压	1000 V
连续漏极电流(Ids)	22A
上升时间	35 ns
输入电容值(Ciss)	7050pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	700 W
下降时间	50 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	700W (Tc)

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IXTK22N100L 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	19.96 mm
宽度	5.13 mm
高度	26.16 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTK22N100L 符合标准

IXTK22N100L 概述

IXTK22N100L 数据手册

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IXTK22N100L 其他数据使用手册

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IXTK22N100L 数据手册

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N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear seriesN-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

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