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IXTN170P10P
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IXTN170P10P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:P-沟道 100 V 12 mOhm 底座安装 功率 Mosfet - SOT-227
PDF文件:IXTN170P10P 数据手册 (5 页)
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IXTN170P10P 数据手册 (5 页)
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IXTN170P10P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
极性P-CH
功耗890000 mW
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)170A
输入电容值(Ciss)12600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)890 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)890W (Tc)
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IXTN170P10P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTN170P10P 数据手册

IXTN170P10P 数据手册
IXYS Semiconductor
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P-沟道 100 V 12 mOhm 底座安装 功率 Mosfet - SOT-227
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