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IXTN200N10L2
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IXTN200N10L2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:底座安装 N 通道 100V 178A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
PDF文件:IXTN200N10L2 数据手册 (5 页)
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IXTN200N10L2 数据手册 (5 页)
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IXTN200N10L2 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
功耗830 W
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间225 ns
输入电容值(Ciss)23000pF @25V(Vds)
下降时间27 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)830W (Tc)
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IXTN200N10L2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTN200N10L2 数据手册

IXTN200N10L2 数据手册
IXYS Semiconductor
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IXTN200N10 数据手册

IXTN200N10L2 数据手册
IXYS Semiconductor
底座安装 N 通道 100V 178A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
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IXYS Semiconductor
N沟道 100V 200A
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