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IXTN21N100
来自 AiPCBA

IXTN21N100 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXTN21N100 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IXTN21N100 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.00 kV
额定电流21.0 A
封装SOT-227-4
额定功率520 W
极性N-Channel
功耗520W (Tc)
漏源极电压(Vds)1000 V
连续漏极电流(Ids)21.0 A
上升时间50.0 ns
输入电容值(Ciss)8400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)520 W
耗散功率(Max)520W (Tc)
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IXTN21N100 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTN21N100 数据手册

IXTN21N100 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.23 MByte
IXTN21N100 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.13 MByte

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