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IXTN30N100L
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IXTN30N100L 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXTN 系列 单 N沟道 1000 V 450 mOhm 800 W 功率 Mosfet - SOT-227B
PDF文件:IXTN30N100L 数据手册 (6 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IXTN30N100L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
通道数1 Channel
功耗800 W
漏源极电压(Vds)1000 V
上升时间70 ns
输入电容值(Ciss)13700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)800 W
下降时间78 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)800W (Tc)
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IXTN30N100L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
宽度25.07 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTN30N100L 数据手册

IXTN30N100L 数据手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.12 MByte
IXTN30N100L 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.12 MByte

IXTN30N100 数据手册

IXTN30N100L 数据手册
IXYS Semiconductor
IXTN 系列 单 N沟道 1000 V 450 mOhm 800 W 功率 Mosfet - SOT-227B
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